货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.606852 | ¥12.61 |
10 | ¥11.240159 | ¥112.40 |
100 | ¥8.763358 | ¥876.34 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | SuperMESH5™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 800 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.5 欧姆 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | 30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 95 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 45W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 1,000 |
STP2N80K5
型号:STP2N80K5
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220
库存:0
单价:
1+: | ¥12.606852 |
10+: | ¥11.240159 |
100+: | ¥8.763358 |
500+: | ¥7.239502 |
1000+: | ¥6.061775 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.61