SI7806ADN-T1-E3

制造商编号:
SI7806ADN-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
规格说明书:
SI7806ADN-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.509976 14.51
10 13.014218 130.14
100 10.14629 1014.63

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTTFS4C13NTAG onsemi ¥8.29000 类似
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor ¥3.15000 类似
RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor ¥3.61000 类似

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SI7806ADN-T1-E3

型号:SI7806ADN-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8

库存:0

单价:

1+: ¥14.509976
10+: ¥13.014218
100+: ¥10.14629
500+: ¥8.381718
1000+: ¥6.617146
3000+: ¥6.617146

货期:1-2天

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