货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥6.975233 | ¥6.98 |
10 | ¥6.149644 | ¥61.50 |
100 | ¥4.711453 | ¥471.15 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.5A(Ta),4.2A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 20 毫欧 @ 7.4A,10V,45 毫欧 @ 5.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 4.6nC @ 4.5V,5.1nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 501pF @ 15V,590pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 1.2W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
DMC3025LSDQ-13
型号:DMC3025LSDQ-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFETN/P-CH30VSO-8
库存:0
单价:
1+: | ¥6.975233 |
10+: | ¥6.149644 |
100+: | ¥4.711453 |
500+: | ¥3.72465 |
1000+: | ¥2.979742 |
2500+: | ¥2.70036 |
5000+: | ¥2.539532 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.98