JTX1N5552US.TR

制造商编号:
JTX1N5552US.TR
制造商:
Semtech升特
描述:
DIODE GEN PURP 600V 5A
规格说明书:
JTX1N5552US.TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Semtech(升特)
系列: Military, MIL-PRF-19500/420
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 92pF @ 5V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: -
工作温度 - 结: -
标准包装: 1

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JTX1N5552US.TR

型号:JTX1N5552US.TR

品牌:Semtech升特

描述:DIODE GEN PURP 600V 5A

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