DMG1016VQ-7

制造商编号:
DMG1016VQ-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
规格说明书:
DMG1016VQ-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.873959 4.87
10 4.134162 41.34
100 3.088001 308.80

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 870mA,640mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60.67pF @ 16V
功率 - 最大值: 530mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
标准包装: 3,000

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DMG1016VQ-7

型号:DMG1016VQ-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563

库存:0

单价:

1+: ¥4.873959
10+: ¥4.134162
100+: ¥3.088001
500+: ¥2.426287
1000+: ¥1.874858
3000+: ¥1.709442
6000+: ¥1.599144

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥4.87