库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥10.193476 | ￥25483.69 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4290pF @ 15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-WSON（3.3x3.3） |
| 标准包装: | 2,500 |
CSD87313DMS
型号：CSD87313DMS
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
库存：0
单价：
| 2500+： | ￥10.193476 |
货期：1-2天
+ -
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