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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Transphorm |
| 系列: | TP65H070L |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 85 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.8V @ 700µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 600 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 96W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 3-PQFN（8x8） |
| 封装/外壳: | 3-PowerDFN |
| 标准包装: | 60 |
TP65H070LSG
型号：TP65H070LSG
品牌：Transphorm
描述：GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
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