ZVNL110ASTZ

制造商编号:
ZVNL110ASTZ
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
规格说明书:
ZVNL110ASTZ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.019653 8.02
10 7.094595 70.95
100 5.442671 544.27

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 剪切带(CT) 带盒(TB)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 75 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 700mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)
封装/外壳: E-Line-3
标准包装: 2,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
VN0109N3-G Microchip Technology ¥7.22000 类似

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ZVNL110ASTZ

型号:ZVNL110ASTZ

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

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1+: ¥8.019653
10+: ¥7.094595
100+: ¥5.442671
500+: ¥4.302189
1000+: ¥3.441774
2000+: ¥3.119085

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