CSD87333Q3D

制造商编号:
CSD87333Q3D
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
规格说明书:
CSD87333Q3D说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.794144 12.79
10 11.401584 114.02
25 10.824169 270.60

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 逻辑电平栅极,5V 驱动
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14.3 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 662pF @ 15V
功率 - 最大值: 6W
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-VSON(3.3x3.3)
标准包装: 2,500

客服

购物车

CSD87333Q3D

型号:CSD87333Q3D

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

库存:0

单价:

1+: ¥12.794144
10+: ¥11.401584
25+: ¥10.824169
100+: ¥8.890624
250+: ¥8.311046
500+: ¥7.344734
1000+: ¥6.382064
2500+: ¥6.382027

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥12.79