货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.794144 | ¥12.79 |
10 | ¥11.401584 | ¥114.02 |
25 | ¥10.824169 | ¥270.60 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)非对称型 |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,5V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 14.3 毫欧 @ 4A,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 4.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 662pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 6W |
工作温度: | 125°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装: | 8-VSON(3.3x3.3) |
标准包装: | 2,500 |
CSD87333Q3D
型号:CSD87333Q3D
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
库存:0
单价:
1+: | ¥12.794144 |
10+: | ¥11.401584 |
25+: | ¥10.824169 |
100+: | ¥8.890624 |
250+: | ¥8.311046 |
500+: | ¥7.344734 |
1000+: | ¥6.382064 |
2500+: | ¥6.382027 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.79