IXTT140P10T

制造商编号:
IXTT140P10T
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
规格说明书:
IXTT140P10T说明书

库存 :703

货期: 国内(1~2天)

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 193.354447 193.35
10 177.708043 1777.08
100 150.086991 15008.70

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: TrenchP™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 @ 70A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 400 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 31400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 568W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-268AA
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装: 30

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IXTT140P10T

型号:IXTT140P10T

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET P-CH 100V 140A TO268

库存:703

单价:

1+: ¥193.354447
10+: ¥177.708043
100+: ¥150.086991
500+: ¥133.513142

货期:1-2天

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