SIZ342DT-T1-GE3

制造商编号:
SIZ342DT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
规格说明书:
SIZ342DT-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.26301 9.26
10 8.24097 82.41
100 6.426415 642.64

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: -
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A(Ta),100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.5 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650pF @ 15V
功率 - 最大值: 3.6W,4.3W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-Power33(3x3)
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PTN3393BSY NXP USA Inc. ¥10.56644 类似
Z84C4306AEG Zilog ¥97.38000 类似
QLX4600SIQT7 Renesas Electronics America Inc ¥115.81000 类似
DS90CF383BMT/NOPB Texas Instruments ¥38.71000 类似
ISL36411DRZ-T7 Renesas Electronics America Inc ¥193.69000 类似

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SIZ342DT-T1-GE3

型号:SIZ342DT-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3

库存:0

单价:

1+: ¥9.26301
10+: ¥8.24097
100+: ¥6.426415
500+: ¥5.308637
1000+: ¥4.191021
3000+: ¥4.191021

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单价:¥0.00总价:¥9.26