货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥9.26301 | ¥9.26 |
10 | ¥8.24097 | ¥82.41 |
100 | ¥6.426415 | ¥642.64 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | - |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15.7A(Ta),100A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 11.5 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 650pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 3.6W,4.3W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 8-Power33(3x3) |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PTN3393BSY | NXP USA Inc. | ¥10.56644 | 类似 |
Z84C4306AEG | Zilog | ¥97.38000 | 类似 |
QLX4600SIQT7 | Renesas Electronics America Inc | ¥115.81000 | 类似 |
DS90CF383BMT/NOPB | Texas Instruments | ¥38.71000 | 类似 |
ISL36411DRZ-T7 | Renesas Electronics America Inc | ¥193.69000 | 类似 |
SIZ342DT-T1-GE3
型号:SIZ342DT-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
库存:0
单价:
1+: | ¥9.26301 |
10+: | ¥8.24097 |
100+: | ¥6.426415 |
500+: | ¥5.308637 |
1000+: | ¥4.191021 |
3000+: | ¥4.191021 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.26