SI4943BDY-T1-E3

制造商编号:
SI4943BDY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
规格说明书:
SI4943BDY-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.990068 18.99
10 17.09562 170.96
100 13.741582 1374.16

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19 毫欧 @ 8.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TPS1120DR Texas Instruments ¥16.90000 类似
TPS1120D Rochester Electronics, LLC ¥8.03351 类似
IRF9953TRPBF Infineon Technologies ¥7.68000 类似
IRF7314TRPBF Infineon Technologies ¥7.83000 类似
ZXMP3A16DN8TA Diodes Incorporated ¥12.06000 类似

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SI4943BDY-T1-E3

型号:SI4943BDY-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥18.990068
10+: ¥17.09562
100+: ¥13.741582
500+: ¥11.290199
1000+: ¥9.67724
2500+: ¥9.677252

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥18.99