QS8M13TCR

制造商编号:
QS8M13TCR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
规格说明书:
QS8M13TCR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 10.406898 10.41
10 9.30031 93.00
100 7.247404 724.74

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A,5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.5nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TSMT8
标准包装: 3,000

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QS8M13TCR

型号:QS8M13TCR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

库存:0

单价:

1+: ¥10.406898
10+: ¥9.30031
100+: ¥7.247404
500+: ¥5.986938
1000+: ¥4.726535
3000+: ¥4.411431
6000+: ¥4.296843

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥10.41