货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥26.877899 | ¥26.88 |
10 | ¥24.142235 | ¥241.42 |
100 | ¥19.406117 | ¥1940.61 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | TrenchP™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 50 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 32A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 39 毫欧 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 46 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1975 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 83W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-263AA |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 50 |
IXTA32P05T
型号:IXTA32P05T
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET P-CH 50V 32A TO263
库存:0
单价:
1+: | ¥26.877899 |
10+: | ¥24.142235 |
100+: | ¥19.406117 |
500+: | ¥15.944384 |
1000+: | ¥13.211034 |
2000+: | ¥12.424166 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥26.88