IRF9Z10PBF

制造商编号:
IRF9Z10PBF
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
规格说明书:
IRF9Z10PBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.238242 16.24
10 14.5336 145.34
100 11.330712 1133.07

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 500 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 43W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF9Z10PBF-BE3 Vishay Siliconix ¥13.06000 直接

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IRF9Z10PBF

型号:IRF9Z10PBF

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

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1+: ¥16.238242
10+: ¥14.5336
100+: ¥11.330712
500+: ¥9.359867
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