库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 盒
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1187.00461 | ￥1187.00 |
| 10 | ￥1134.938085 | ￥11349.38 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 盒 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | - |
| 配置: | 全桥反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 183 A |
| 功率 - 最大值: | 630 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.2V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 300 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 7.43 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | E3 |
| 供应商器件封装: | E3 |
| 标准包装: | 5 |
MIEB101H1200EH
型号：MIEB101H1200EH
品牌：IXYS艾赛斯
描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥1187.00461 |
| 10+： | ￥1134.938085 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1187.00