IRFH7110TR2PBF

制造商编号:
IRFH7110TR2PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
规格说明书:
IRFH7110TR2PBF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta),58A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.5 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 87 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3240 pF @ 25 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-TQFN 裸露焊盘
标准包装: 400

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IRFH7110TR2PBF

型号:IRFH7110TR2PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

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