US6M1TR

制造商编号:
US6M1TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
规格说明书:
US6M1TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.776296 6.78
10 5.825128 58.25
100 4.352247 435.22

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A,1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 70pF @ 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
标准包装: 3,000

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US6M1TR

型号:US6M1TR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

库存:0

单价:

1+: ¥6.776296
10+: ¥5.825128
100+: ¥4.352247
500+: ¥3.419903
1000+: ¥2.642656
3000+: ¥2.409477
6000+: ¥2.254032

货期:1-2天

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