货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥39.526319 | ¥39.53 |
10 | ¥35.482922 | ¥354.83 |
100 | ¥29.069562 | ¥2906.96 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | TrenchT2™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.2 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 109 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6800 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 360W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-263AA |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia USA Inc. | ¥26.73000 | 类似 |
IXTA200N055T2
型号:IXTA200N055T2
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 55V 200A TO263
库存:0
单价:
1+: | ¥39.526319 |
10+: | ¥35.482922 |
100+: | ¥29.069562 |
500+: | ¥24.74641 |
1000+: | ¥20.870456 |
2000+: | ¥20.32839 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥39.53