货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥10.509509 | ¥10.51 |
10 | ¥9.427782 | ¥94.28 |
100 | ¥7.349019 | ¥734.90 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® Gen IV |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 23A(Ta),75A(Tc),34A(Ta),141A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.5 毫欧 @ 10A,10V,1.84 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 22nC @ 10V,62nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1100pF @ 15V,3150pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 3.8W(Ta),48W(Tc),4.3W(Ta),74W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 8-PowerPair®(6x5) |
标准包装: | 3,000 |
SIZF300DT-T1-GE3
型号:SIZF300DT-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
库存:0
单价:
1+: | ¥10.509509 |
10+: | ¥9.427782 |
100+: | ¥7.349019 |
500+: | ¥6.07094 |
1000+: | ¥4.792861 |
6000+: | ¥5.272137 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.51