货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥36.498317 | ¥36.50 |
10 | ¥32.774395 | ¥327.74 |
100 | ¥26.851226 | ¥2685.12 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 90 毫欧 @ 5.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 135 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.9W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
标准包装: | 3,000 |
SI7439DP-T1-GE3
型号:SI7439DP-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
库存:0
单价:
1+: | ¥36.498317 |
10+: | ¥32.774395 |
100+: | ¥26.851226 |
500+: | ¥22.857567 |
1000+: | ¥20.654423 |
3000+: | ¥20.654423 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.50