库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.913265 | ￥20.91 |
| 10 | ￥18.829398 | ￥188.29 |
| 100 | ￥15.13153 | ￥1513.15 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ P7 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 600 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 170µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 570 pF @ 500 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 60W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFY8N65X2 | IXYS | ¥24.88000 | 类似 |
| STD8N60DM2 | STMicroelectronics | ¥13.06000 | 类似 |
| STD10NM60ND | STMicroelectronics | ¥17.28000 | 类似 |
IPD80R600P7ATMA1
型号：IPD80R600P7ATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥20.913265 |
| 10+： | ￥18.829398 |
| 100+： | ￥15.13153 |
| 500+： | ￥12.432202 |
| 1000+： | ￥11.840203 |
| 2500+： | ￥11.840203 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.91