库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥7.333991 | ￥22001.97 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 46A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 18 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1640 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 5W（Ta），72W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerFlat™（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | ¥14.51000 | 类似 |
| BSC160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥12.52000 | 类似 |
STL60N10F7
型号：STL60N10F7
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
库存：0
单价：
| 3000+： | ￥7.333991 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00