IXTQ88N30P

制造商编号:
IXTQ88N30P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
规格说明书:
IXTQ88N30P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 112.287571 112.29
10 103.238418 1032.38
100 87.193518 8719.35

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Polar
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 88A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 180 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 600W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3P
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
标准包装: 30

客服

购物车

IXTQ88N30P

型号:IXTQ88N30P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 300V 88A TO3P

库存:0

单价:

1+: ¥112.287571
10+: ¥103.238418
100+: ¥87.193518
500+: ¥77.564564
1000+: ¥72.944697

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥112.29