2SK2221-E

制造商编号:
2SK2221-E
制造商:
Renesas瑞萨
描述:
MOSFET N-CH 200V 8A TO3P
规格说明书:
2SK2221-E说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Renesas(瑞萨)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 100W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3P
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 1

客服

购物车

2SK2221-E

型号:2SK2221-E

品牌:Renesas瑞萨

描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00