IPW65R095C7XKSA1

制造商编号:
IPW65R095C7XKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
规格说明书:
IPW65R095C7XKSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 72.130341 72.13
10 65.162377 651.62
100 53.945698 5394.57

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 95 毫欧 @ 11.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2140 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 128W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

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IPW65R095C7XKSA1

型号:IPW65R095C7XKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO247

库存:0

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1+: ¥72.130341
10+: ¥65.162377
100+: ¥53.945698
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