库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | SemiQ |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1350 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 90 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.4V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值: | 329 W |
| 开关能量: | 4.4mJ（开），1.18mJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 300 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 30ns/145ns |
| 测试条件: | 600V，30A，5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 450 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商器件封装: | TO-3PN |
| 标准包装: | 1 |
GPA030A135MN-FDR
型号：GPA030A135MN-FDR
品牌：SemiQ
描述：IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
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货期：1-2天
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