货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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4000 | ¥33.010311 | ¥132041.24 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 800 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.2 欧姆 @ 1.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 19.4 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 685 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-262S(I2PAK) |
封装/外壳: | TO-262-3短引线,I²Pak |
标准包装: | 2,000 |
TSM80N1R2CL C0G
型号:TSM80N1R2CL C0G
品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
库存:0
单价:
4000+: | ¥33.010311 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00