货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥22.529629 | ¥22.53 |
10 | ¥20.204551 | ¥202.05 |
100 | ¥16.242097 | ¥1624.21 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 30 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 60 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2V @ 15V,15A |
功率 - 最大值: | 136 W |
开关能量: | 90µJ(开),450µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 45 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 24ns/93ns |
测试条件: | 400V,15A,12 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 142 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
标准包装: | 1,000 |
STGB15M65DF2
型号:STGB15M65DF2
品牌:ST意法半导体
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
库存:0
单价:
1+: | ¥22.529629 |
10+: | ¥20.204551 |
100+: | ¥16.242097 |
500+: | ¥13.344677 |
1000+: | ¥12.131434 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.53