STGB15M65DF2

制造商编号:
STGB15M65DF2
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
规格说明书:
STGB15M65DF2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 22.529629 22.53
10 20.204551 202.05
100 16.242097 1624.21

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,15A
功率 - 最大值: 136 W
开关能量: 90µJ(开),450µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 45 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 24ns/93ns
测试条件: 400V,15A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 142 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
标准包装: 1,000

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STGB15M65DF2

型号:STGB15M65DF2

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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1+: ¥22.529629
10+: ¥20.204551
100+: ¥16.242097
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