1N5809US

制造商编号:
1N5809US
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
规格说明书:
1N5809US说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 78.29419 78.29

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV @ 4 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 60pF @ 10V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,B
供应商器件封装: B,SQ-MELF
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 1

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1N5809US

型号:1N5809US

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

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