库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥148.867134 | ￥148.87 |
| 10 | ￥136.830194 | ￥1368.30 |
| 100 | ￥115.564189 | ￥11556.42 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | DTMOSIV |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 61.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 38 毫欧 @ 30.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.7V @ 3.1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 180 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6500 pF @ 300 V |
| FET 功能: | 超级结 |
| 功率耗散（最大值）: | 400W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-3P（N） |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装: | 25 |
TK62J60W,S1VQ
型号：TK62J60W,S1VQ
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
库存：0
单价：
| 1+： | ￥148.867134 |
| 10+： | ￥136.830194 |
| 100+： | ￥115.564189 |
| 500+： | ￥102.80195 |
| 1000+： | ￥96.679051 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥148.87