库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥48.316853 | ￥48.32 |
| 10 | ￥43.42673 | ￥434.27 |
| 100 | ￥35.583634 | ￥3558.36 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 160 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值: | 283 W |
| 开关能量: | 498µJ（开），363µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 210 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 40ns/142ns |
| 测试条件: | 400V，40A，5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 62 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | TO-247 |
| 标准包装: | 30 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IGW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | ¥41.16000 | 类似 |
STGW40H65DFB
型号：STGW40H65DFB
品牌：ST意法半导体
描述：IGBT 650V 80A 283W TO-247
库存：0
单价：
| 1+： | ￥48.316853 |
| 10+： | ￥43.42673 |
| 100+： | ￥35.583634 |
| 500+： | ￥30.291633 |
| 1000+： | ￥30.126428 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥48.32