货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥9.163541 | ¥9.16 |
10 | ¥8.04079 | ¥80.41 |
100 | ¥6.166678 | ¥616.67 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 170 毫欧 @ 3.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 10µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.7nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 160pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 1.4W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-VQFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | 6-PQFN(2x2) |
标准包装: | 4,000 |
IRFHS9351TRPBF
型号:IRFHS9351TRPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
库存:0
单价:
1+: | ¥9.163541 |
10+: | ¥8.04079 |
100+: | ¥6.166678 |
500+: | ¥4.874531 |
1000+: | ¥4.062109 |
4000+: | ¥4.062109 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.16