- 制造商编号：
- CDM4-650 TR13 PBFREE
- 制造商：
- Central美国中央
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
- 规格说明书：
- CDM4-650 TR13 PBFREE说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.078311 | ￥11.08 |
| 10 | ￥9.910799 | ￥99.11 |
| 100 | ￥7.730448 | ￥773.04 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Central(美国中央) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.7 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | 30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 463 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 620mW（Ta），77W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPD80R2K8CEATMA1 | Infineon Technologies | ¥10.60000 | 类似 |
CDM4-650 TR13 PBFREE
型号：CDM4-650 TR13 PBFREE
品牌：Central美国中央
描述：MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥11.078311 |
| 10+： | ￥9.910799 |
| 100+： | ￥7.730448 |
| 500+： | ￥6.38608 |
| 1000+： | ￥5.041639 |
| 2500+： | ￥4.705522 |
| 5000+： | ￥4.5833 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.08