货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17 毫欧 @ 11.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 17nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 1.4W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 双 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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SI7234DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥23.73000 | 类似 |
SI7940DP-T1-E3
型号:SI7940DP-T1-E3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00