TK60D08J1(Q)

制造商编号:
TK60D08J1(Q)
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 75V 60A TO220
规格说明书:
TK60D08J1(Q)说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5450 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220(W)
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXTP120N075T2 IXYS ¥30.34000 类似
IRF3808PBF Infineon Technologies ¥22.20000 类似
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia USA Inc. ¥13.82000 类似

客服

购物车

TK60D08J1(Q)

型号:TK60D08J1(Q)

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO220

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00