CSD86350Q5DT

制造商编号:
CSD86350Q5DT
制造商:
TI德州仪器
描述:
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
规格说明书:
CSD86350Q5DT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 31.133659 31.13
10 27.948179 279.48
100 22.898409 2289.84

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 @ 25A,5V,1.1 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250µA,1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.7nC @ 4.5V,25nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1870pF @ 12.5V,4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值: 13W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerLDFN
供应商器件封装: 8-LSON(5x6)
标准包装: 250

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CSD86350Q5DT

型号:CSD86350Q5DT

品牌:TI德州仪器

描述:25V POWERBLOCK N CH MOSFET

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1+: ¥31.133659
10+: ¥27.948179
100+: ¥22.898409
250+: ¥21.724083
500+: ¥19.492978
1000+: ¥18.681737

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