货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥31.133659 | ¥31.13 |
10 | ¥27.948179 | ¥279.48 |
100 | ¥22.898409 | ¥2289.84 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 25V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5 毫欧 @ 25A,5V,1.1 毫欧 @ 25A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.1V @ 250µA,1.6V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10.7nC @ 4.5V,25nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1870pF @ 12.5V,4000pF @ 12.5V |
功率 - 最大值: | 13W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerLDFN |
供应商器件封装: | 8-LSON(5x6) |
标准包装: | 250 |
CSD86350Q5DT
型号:CSD86350Q5DT
品牌:TI德州仪器
描述:25V POWERBLOCK N CH MOSFET
库存:0
单价:
1+: | ¥31.133659 |
10+: | ¥27.948179 |
100+: | ¥22.898409 |
250+: | ¥21.724083 |
500+: | ¥19.492978 |
1000+: | ¥18.681737 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥31.13