SUM70040M-GE3

制造商编号:
SUM70040M-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
规格说明书:
SUM70040M-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 30.64875 30.65
10 27.50057 275.01
100 22.530748 2253.07

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 120 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5100 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
标准包装: 800

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SUM70040M-GE3

型号:SUM70040M-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7

库存:0

单价:

1+: ¥30.64875
10+: ¥27.50057
100+: ¥22.530748
800+: ¥19.179975
1600+: ¥17.331302

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥30.65