- 制造商编号：
- RS1L120GNTB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
- 规格说明书：
- RS1L120GNTB说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.581886 | ￥15.58 |
| 10 | ￥13.91883 | ￥139.19 |
| 100 | ￥10.852037 | ￥1085.20 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A（Ta），36A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 12.7mOhm @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.7V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 26 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1330 pF @ 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-HSOP |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 2,500 |
RS1L120GNTB
型号：RS1L120GNTB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.581886 |
| 10+： | ￥13.91883 |
| 100+： | ￥10.852037 |
| 500+： | ￥8.964703 |
| 1000+： | ￥7.077391 |
| 2500+： | ￥6.605557 |
| 5000+： | ￥6.433985 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.58