GPAS1003 MNG

制造商编号:
GPAS1003 MNG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB
规格说明书:
GPAS1003 MNG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 10 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 50pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STTH802G-TR STMicroelectronics ¥12.98000 类似

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型号:GPAS1003 MNG

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

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