IXTH02N250

制造商编号:
IXTH02N250
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
规格说明书:
IXTH02N250说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 157.562848 157.56
10 144.812374 1448.12
100 122.305268 12230.53

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 2500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 欧姆 @ 50mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 116 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247(IXTH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

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IXTH02N250

型号:IXTH02N250

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247

库存:0

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1+: ¥157.562848
10+: ¥144.812374
100+: ¥122.305268
500+: ¥108.799021

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