ZXMN10A08E6TA

制造商编号:
ZXMN10A08E6TA
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
规格说明书:
ZXMN10A08E6TA说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.689261 6.69
10 5.710739 57.11
100 4.26459 426.46

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 405 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.1W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-26
封装/外壳: SOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PMN280ENEAX Nexperia USA Inc. ¥3.46000 类似

客服

购物车

ZXMN10A08E6TA

型号:ZXMN10A08E6TA

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26

库存:0

单价:

1+: ¥6.689261
10+: ¥5.710739
100+: ¥4.26459
500+: ¥3.350723
1000+: ¥2.589191
3000+: ¥2.36075
6000+: ¥2.208426

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥6.69