2SK3313(Q)

制造商编号:
2SK3313(Q)
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
规格说明书:
2SK3313(Q)说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 620 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2040 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 40W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220NIS
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STP11NK50ZFP STMicroelectronics ¥24.73000 类似
IRFI840GLCPBF Vishay Siliconix ¥23.81000 类似
FDPF8N50NZ onsemi ¥17.20000 类似

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2SK3313(Q)

型号:2SK3313(Q)

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

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