STF33N60DM2

制造商编号:
STF33N60DM2
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
规格说明书:
STF33N60DM2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 52.03449 52.03
10 46.758927 467.59
100 38.315414 3831.54

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ DM2
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1870 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 35W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 50

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STF33N60DM2

型号:STF33N60DM2

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP

库存:0

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1+: ¥52.03449
10+: ¥46.758927
100+: ¥38.315414
500+: ¥32.616885
1000+: ¥31.259276

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