货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥52.03449 | ¥52.03 |
10 | ¥46.758927 | ¥467.59 |
100 | ¥38.315414 | ¥3831.54 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ DM2 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 130 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 43 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1870 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 35W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220FP |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 50 |
STF33N60DM2
型号:STF33N60DM2
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
库存:0
单价:
1+: | ¥52.03449 |
10+: | ¥46.758927 |
100+: | ¥38.315414 |
500+: | ¥32.616885 |
1000+: | ¥31.259276 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥52.03