- 制造商编号：
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- 规格说明书：
- PTAB182002TCV2R250XTMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | LDMOS |
| 频率: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| 增益: | 14.8dB |
| 电压 - 测试: | 28 V |
| 额定电流（安培）: | 10µA |
| 噪声系数: | - |
| 电流 - 测试: | 520 mA |
| 功率 - 输出: | 29W |
| 电压 - 额定: | 65 V |
| 封装/外壳: | H-49248H-4 |
| 供应商器件封装: | H-49248H-4 |
| 标准包装: | 250 |
PTAB182002TCV2R250XTMA1
型号：PTAB182002TCV2R250XTMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00