IS42S32160F-6BLI

制造商编号:
IS42S32160F-6BLI
制造商:
ISSI芯成
描述:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA
规格说明书:
IS42S32160F-6BLI说明书

库存 :1755

货期: 国内(1~2天)

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 177.800051 177.80
10 164.616737 1646.17
25 162.378943 4059.47

规格参数

属性 参数值
制造商: ISSI(芯成)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 在售
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: SDRAM
存储容量: 512Mb(16M x 32)
存储器接口: 并联
时钟频率: 167 MHz
写周期时间 - 字,页: -
访问时间: 5.4 ns
电压 - 供电: 3V ~ 3.6V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 90-TFBGA
供应商器件封装: 90-TFBGA(8x13)
标准包装: 240

文档与视频信息

属性 属性值
规格书 IS42(R,S)32160F,IS45(R,S)32160F
HTML 规格书 IS42(R,S)32160F,IS45(R,S)32160F

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IS42S32160F-6BLI

型号:IS42S32160F-6BLI

品牌:ISSI芯成

描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

库存:1755

单价:

1+: ¥177.800051
10+: ¥164.616737
25+: ¥162.378943
40+: ¥160.339278
80+: ¥140.515194
240+: ¥134.490097
480+: ¥133.615619

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥177.80