货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥19.483404 | ¥19.48 |
10 | ¥17.531334 | ¥175.31 |
100 | ¥14.094571 | ¥1409.46 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3 欧姆 @ 900mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 11 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 170 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3W(Ta),20W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
IRF9610SPBF
型号:IRF9610SPBF
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥19.483404 |
10+: | ¥17.531334 |
100+: | ¥14.094571 |
500+: | ¥11.580105 |
1000+: | ¥9.925719 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.48