CSD25402Q3A

制造商编号:
CSD25402Q3A
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
规格说明书:
CSD25402Q3A说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.583146 8.58
10 7.668978 76.69
100 5.979934 597.99

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 76A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.9 毫欧 @ 10A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.15V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1790 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.8W(Ta),69W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-VSONP(3x3.15)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix ¥8.68000 类似

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CSD25402Q3A

型号:CSD25402Q3A

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON

库存:0

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1+: ¥8.583146
10+: ¥7.668978
100+: ¥5.979934
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