20ETF10STRR

制造商编号:
20ETF10STRR
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK
规格说明书:
20ETF10STRR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 20A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.31 V @ 20 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 400 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C
标准包装: 800

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20ETF10STRR

型号:20ETF10STRR

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK

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