NTJD5121NT2G

制造商编号:
NTJD5121NT2G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
规格说明书:
NTJD5121NT2G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.817106 3.82
10 2.883345 28.83
100 1.796029 179.60

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 295mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 26pF @ 20V
功率 - 最大值: 250mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDG6301N onsemi ¥3.99000 类似

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型号:NTJD5121NT2G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363

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1+: ¥3.817106
10+: ¥2.883345
100+: ¥1.796029
500+: ¥1.228909
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